ON Semiconductor, een prominente leverancier van energie-efficiënte hoogvermogen silicium-elektronica, stapt mee in imec's industrieel R&D-programma voor GalliumNitride-op-silicium (GaN-op-Si). Gezamenlijk zullen beide partners verder werken aan de ontwikkeling van de volgende generatie GaN-technologie. Omwille van zijn intrinsieke eigenschappen is GaN een uiterst geschikt materiaal voor hoogvermogen- en RF-technologie. Omdat er geen standaard productieprocessen voor GaN-elektronica bestaan en de huidige GaN-technologie op kleinere wafers wordt ontwikkeld, is GaN-technologie momenteel nog te duur voor industriële productie in grote volumes.

Imec's GaN-on-Si onderzoeksprogramma brengt bedrijven samen uit het hele ecosysteem (IDM's, foundries, leveranciers van apparaten en materialen, ...) om een GaN-technologie te ontwikkelen die kostenefficiënte industriële productie mogelijk maakt.

Vorig jaar heeft imec een aantal belangrijke stappen in die richting gezet door GaN-op-Si devices op grote 200 mm wafers te maken en door de ontwikkeling van een fabricatieproces dat compatibel is met standaard industriële chip-processen en toestellen.

Meer info: 016/28.18.80 of www.imec.be.