Dow Corning heeft zich formeel verbonden tot toetreding tot het multi-partner R&D-programma dat imec voert rond GaN-halfgeleidermaterialen en apparatentechnologie. Het onderzoeksprogramma spitst zich toe op de ontwikkeling van de nieuwe generatie GaN stroomapparaten en LED’s. De samenwerking tussen Dow Corning en imec spitst zich toe op de transfert van GaN epi-technologie op silicium-wafers naar de productiefase.

Dow Corning is een vooraanstaand producent van SiC wafers en epitaxie. Via toetreding tot het imec GaN-programma, hoopt het bedrijf zijn substraat-productportfolio snel uit te breiden met hoogkwalitatieve en betaalbare GaN epi-wafers voor de energievoorziening-, RF- en LED-markten.

Voorts is Dow Corning meerderheidsaandeelhouder (63,25%) in de joint-ventures van de Hemlock Semiconductor Group (Hemlock, Michigan).

Dat is een belangrijk leverancier van polykristallijne silicium- en op silicium gebaseerde producten die in de productie van halfgeleiderapparaten, zonnecellen en modules worden gebruikt.

Andere aandeelhouders zijn het Shin-Etsu Handotai (24,50%) en Mitsubishi Materials Corporation (12,25%), beide gevestigd in Tokio.